韩研究所：韩国DRAM技术领先中国5年，NAND闪存领先2年

据BusinessKorea报道，韩国进出口银行海外经济研究所估计，韩国在DRAM技术方面领先中国5年，在NAND闪存方面领先中国2年。

该研究机构5月30日表示，中国DRAM厂商长信存储器今年正在推进第二代10nm DRAM的量产另一方面，三星电子和SK海力士正计划在今年年底或明年量产第五代10nm DRAM 考虑到每一代人的技术差距大约是2到2年半，两国的技术差距超过5年

特别是三星和SK海力士已经引进了用于超微制造工艺的极紫外设备，或者正在计划引进可是，由于中国公司很难引进EUV的设备，许多专家认为中国缩小与南韩的技术差距并不容易

中国芯片厂商的良品率也很低OERI分析称，2019年开始量产第一代10nm DRAM的长信存储，即使两年过去了，其良品率仍在75%左右挣扎根据消息显示，其第二代DRAM的良品率也在40%左右分析师表示，截至去年年底，长信存储的DRAM市场份额不到1%，而且不会大幅反弹

本站了解到，在NAND闪存方面，该机构估计中国和韩国的技术差距约为两年中国存储半导体公司长江存储于2021年8月开始量产第六代3D NAND闪存三星和SK海力士从2019年开始量产这种闪存韩国公司计划从今年年底到明年年初量产超过200层的NAND闪存，但长江存储预计要到2024年才能实现

不过一个变数是，苹果目前正在考虑在iPhone中使用长江存储的NAND闪存在这种情况下，预计长江存储将通过扩大投资来大力追赶韩国芯片厂商尤其是NAND闪存是一个成长中的行业，不同于DRAM行业，所以变数很多专家表示，如果五六家NAND闪存公司迅速扩大产能，就会出现价格竞争，这可能会改变NAND闪存市场份额的排名

此外，该机构还表示，韩国在铸造技术方面领先中国约5年目前，韩国三星电子和中国台湾省TSMC正在大规模生产4—5纳米芯片另一方面，中国的SMIC处于14纳米的水平，落后两到三代

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